與非網 11 月 8 日訊,三星晶圓代工一直搞不過臺積電,一個主要原因便是良率問題。

 

三星電子晶圓代工產品傳出發現瑕疵。 韓媒爆料,今年稍早,三星第一代 10 奈米(1x 奈米) DRAM 產品就曾出現過問題,這次則是晶圓代工業務出包,恐傷及三星的業界信譽。

 

BusinessKorea 8 日報導,三星南韓器興(Giheung)廠,因為 8 吋硅晶圓生產線采用了受到污染的設備,導致產品出現瑕疵。 一名三星高層坦承,的確發現瑕疵品,但制程已獲修正,損害規模估計有上億韓元。

 

然而,部分專家直指損害規模也許遠多于三星預估。 一名業界人士透露,就我所知,三星并未計算出真正的虧損金額,可能會遠比官方估計還多。 

 

晶圓代工產品傳出包,恐打擊公司信譽,對正在積極投資晶圓代工事業,希望能在 2030 年奪下業界冠軍的三星而言,傷害恐怕不小。

 

科技市調機構 IC Insights 11 月 5 日發表研究報告指出,三星今年 Q4 多數資本支出將用來打造內存基礎建設、因應中長期需求。 其 Q4 資本支出預計會季增 81%至 79 億美元,較 2017 年 Q4 的前次歷史高(68.77 億美元)多出 15%。

 

若以今年一整年來看,三星的半導體資本支出將年減 8%至 199 億美元。 不過,該公司 2017 年、2018 年與 2019 年的半導體合并資本支出將達到 658 億美元,比英特爾(Intel Corp.) 多出 53%,是同期間內支出次高的業者。 不只如此,三星 2017-2019 年合計 658 億美元的半導體資本支出,也會較所有中國本土半導體商的合并支出(308 億美元)高出一倍以上。